时间：2025/9/7 8:36:45
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HM5116100S-6T 是由日本 Hitachi（现为 Renesas）生产的一款静态随机存取存储器（SRAM）芯片。这款芯片的容量为16K x 1，即16,384个存储单元，每个单元1位数据，总容量为16Kb。其主要设计用于高速缓存和临时数据存储应用场景。该芯片采用高速CMOS工艺制造，具备低功耗、高速访问和稳定性强等特点。HM5116100S-6T 常用于早期的计算机系统、工业控制设备和嵌入式系统中。
容量：16K x 1 bit
电源电压：5V
访问时间：约55ns（最大）
封装类型：28引脚双列直插式封装（DIP）
工作温度范围：0°C 至 70°C（商业级）
输入/输出电压电平：TTL兼容
数据保持电流：10mA（典型）
待机电流：100mA（最大）
工作模式：异步SRAM
HM5116100S-6T 是一款经典的异步SRAM芯片，具备出色的稳定性和高速存取能力。其55ns的访问时间在当时属于高速级别，适用于需要快速响应的系统设计。由于采用了CMOS技术，该芯片在运行过程中功耗较低，尤其是在待机模式下，能够有效延长设备的使用寿命并减少热量产生。此外，其TTL兼容的输入/输出电平使其能够轻松与多种数字电路接口连接，增强了其在不同系统中的兼容性和适用性。
该芯片的28引脚DIP封装方式使其便于安装和更换，尤其适合使用在需要手动焊接和调试的实验环境中。其商业级工作温度范围（0°C至70°C）确保了在大多数常规工业和商业应用中的可靠性。由于SRAM的非易失性特性，HM5116100S-6T在断电后不会保留数据，因此适用于需要频繁更新或临时存储数据的应用场景。
HM5116100S-6T 主要用于早期的计算机系统作为高速缓存或临时存储器，例如在CPU缓存、系统内存模块和外围设备控制器中。它也被广泛应用于工业控制系统、测试设备、通信设备以及各种嵌入式系统中，用于存储临时数据、状态信息或作为缓冲存储器。此外，该芯片还适用于教育和研发领域，用于教学实验和原型开发。
CY62167VLL-55SXC, IDT71V016SA-6P, IS61LV16256A-6TLI
