NUP2202W1 时间：2025/8/13 17:46:23 阅读：25

NUP2202W1 是一款由NXP（恩智浦）公司生产的双极型晶体管阵列器件，属于双N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的配置。该器件主要设计用于需要高开关速度和低导通电阻的应用场景，适用于电源管理、信号处理、负载开关控制以及工业自动化设备等应用领域。NUP2202W1 采用小型化的封装技术，使其在空间受限的电路板设计中具备较高的灵活性和可靠性。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：100mA
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-363
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为 3.5Ω（在Vgs=4.5V时）
　　栅极电荷（Qg）：最大值为 2.5nC
　　功耗（Pd）：最大为 200mW

特性

NUP2202W1 的主要特性之一是其双N沟道MOSFET结构，使其能够实现高效的开关操作，并在低电压条件下提供良好的性能。器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功耗，提高整体系统效率。此外，该器件支持较高的栅源电压（±12V），使其具备良好的抗过压能力和稳定性。
　　该器件的封装形式为 SOT-363，这是一种小型化的表面贴装封装，适用于自动化的PCB组装流程。由于其紧凑的设计，NUP2202W1 可广泛用于需要空间节省的应用，例如便携式电子产品和嵌入式控制系统。
　　NUP2202W1 的另一个关键特性是其高开关速度，这使其在数字控制电路和脉宽调制（PWM）应用中表现出色。此外，该器件的低静态电流特性在待机或低功耗模式下有助于延长设备的电池寿命。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定。这种特性使其适合在工业级环境中使用，例如工业控制模块、传感器接口电路以及电机驱动电路等。

应用

NUP2202W1 主要用于需要低电压开关控制的电子系统中。典型应用包括逻辑电平转换器、负载开关、LED驱动器、电源管理单元以及小型电机控制电路。由于其双MOSFET结构，该器件也可用于构建H桥电路以控制直流电机的方向。
　　在便携式电子设备中，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，NUP2202W1 可用于管理不同功能模块的电源供应，实现节能和延长电池寿命的目标。此外，该器件还可用于数字信号处理电路中的开关控制，如多路复用器或模拟开关的应用。
　　在工业自动化领域，NUP2202W1 可作为小型继电器或执行器的驱动元件，用于控制各种传感器、执行机构或指示灯。其高可靠性和紧凑封装使其成为工业控制系统中理想的组件选择。
　　此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载娱乐系统、车载照明控制以及车载传感器接口等应用。由于其具备较高的稳定性和耐久性，NUP2202W1 在汽车电子领域中具有广泛的应用前景。