容量：64Kbit（8K x 8）
　　电源电压：5V
　　访问时间：12ns（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：28引脚 CDIP
　　引脚数：28
　　数据宽度：8位
　　读取电流：100mA（典型）
　　待机电流：10mA（最大）
　　封装材料：陶瓷
　　工艺技术：CMOS

HM465728BM-2/883 是一款高性能的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，专为高可靠性和高速应用设计。其核心特性之一是高速访问时间，最大为12ns，这使得该芯片能够满足对数据存取速度要求极高的系统需求，如实时控制系统、高速缓存和通信设备。其采用CMOS工艺制造，具备低功耗特性，在待机模式下电流消耗仅为10mA（最大），适合需要节能设计的应用场景。
　　该芯片的工作温度范围为-55°C至+125°C，适应极端温度环境，确保在严苛条件下的稳定运行。此外，其采用的28引脚陶瓷双列直插封装（CDIP）具有良好的耐热性和机械强度，适用于航空航天、军事装备等高可靠性领域。
　　在电气特性方面，HM465728BM-2/883 工作电压为标准5V，数据宽度为8位，存储容量为64Kbit（即8K x 8结构），能够支持高速数据读写操作。读取电流典型值为100mA，适用于高速数据缓冲和临时存储应用。此外，该芯片符合MIL-STD-883测试标准，具备出色的抗振动、抗冲击和耐湿热性能，进一步增强了其在极端环境下的可靠性。
　　由于其高性能和高可靠性，HM465728BM-2/883 被广泛用于军事电子设备、航空航天系统、工业控制系统以及高端嵌入式平台中。

该芯片主要应用于对性能和可靠性有高要求的领域，如航空航天、军事装备、工业控制系统、高速数据采集系统、通信设备和嵌入式系统等。

HM465728BM-2/883 可以被以下型号替代：IDT71256SA12PFG、CY62148EAVTA12VX、IS61WV10248BLL-12B4I。