时间：2025/5/22 0:41:59
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NTGS4111PT 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 封装。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于各种高效率开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。
其出色的性能和可靠性使得它成为需要高效能功率管理解决方案的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：29A
导通电阻（典型值）：8.5mΩ
栅极电荷：17nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：TO-263
NTGS4111PT 的主要特性包括低导通电阻以减少传导损耗，从而提高系统效率；具备快速开关能力，可有效降低开关损耗；拥有强大的雪崩能量吸收能力，确保在异常条件下也能可靠运行；同时，其优化的热性能设计使其能够在高温环境下稳定工作。
此外，该器件采用了先进的制造工艺，在保证高性能的同时也提供了良好的一致性和耐用性，非常适合于对功率密度和效率要求较高的应用场景。
NTGS4111PT 广泛应用于各类电力电子设备中，例如 AC-DC 和 DC-DC 开关电源、不间断电源 (UPS)、逆变器、太阳能微逆变器、LED 驱动器、电机控制器以及其他需要高效功率转换和控制的系统。
由于其出色的电气特性和散热性能，这款 MOSFET 在工业自动化、消费类电子产品以及汽车电子等领域均有广泛应用。
IRFZ44N
FDP5570
STP29NF06
