时间：2025/7/30 10:33:36
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UDK2559EBTR 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高频率、高效率的功率转换应用，例如电源管理、DC-DC转换器、马达控制以及电池供电设备。UDK2559EBTR 采用先进的沟槽式（Trench）技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合需要高效率和低损耗的电路设计。该器件采用紧凑的表面贴装封装（如SOP或TSON封装），便于自动化生产和节省PCB空间。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：4.4A
导通电阻（Rds(on)）：32mΩ（@Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：1.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSON
安装方式：表面贴装
UDK2559EBTR 的主要特性包括低导通电阻、高电流能力和高效的功率转换性能。由于采用了先进的沟槽式MOSFET技术，该器件能够在相对较低的栅极电压下实现高效的导通状态，从而降低导通损耗。其低Rds(on)（32mΩ）显著减少了在高电流应用中的功率损耗，提高了系统效率。
此外，UDK2559EBTR 具有较高的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。其封装设计优化了散热性能，使得器件在高负载条件下仍能保持良好的温度控制。
UDK2559EBTR 主要应用于电源管理和功率控制领域。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动电路、电池管理系统（BMS）、便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）的电源管理模块，以及工业自动化设备中的功率开关控制。
Si2302DS, IRF7404, AO4406A, FDS6680, TPS2R02C
