时间：2025/6/16 19:39:28
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HM3N10PR 是一款高性能的 N 沱道 MOSFET 功率晶体管，适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和快速开关性能，从而有效降低功耗并提高系统效率。
该产品属于东芝（Toshiba）公司的 MOSFET 系列，主要针对工业和消费类电子市场。其出色的电气特性和可靠性使其成为众多功率转换电路的理想选择。
型号：HM3N10PR
类型：N 沱道 MOSFET
封装：TO-263 (D2PAK)
VDS（漏源极电压）：100V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
ID（连续漏极电流）：32A
PD（总功耗）：140W
f(max)（最大工作频率）：5MHz
Qg（栅极电荷）：9nC
VGS(th)（阈值电压）：2.6V
Tj（结温范围）：-55°C 至 +175°C
HM3N10PR 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），可显著降低导通损耗，提高整体效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适合现代高效能设计需求。
3. 高耐压能力（100V），能够在较宽的电压范围内稳定工作。
4. 大电流承载能力（32A），满足大功率应用场景的要求。
5. 优异的热性能表现，确保在高温环境下仍能保持可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
7. 封装形式为 TO-263（D2PAK），易于安装且散热性能良好。
HM3N10PR 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动电路，例如无刷直流电机（BLDC）控制器。
3. 电池管理系统（BMS），用于保护和监控锂电池组。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 通信电源和不间断电源（UPS）系统。
6. LED 驱动器和逆变器。
7. 各种需要高效率、大电流处理能力的电子设备。
IRFZ44N, FDP5500, STP36NF06L
