时间：2025/8/6 2:34:35
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DSI35-18A是一款由Diodes Incorporated生产的双路N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），采用先进的TrenchFET技术制造，适用于高效率电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻、高功率密度和优异的热性能，非常适合用于同步整流、DC-DC转换器以及负载开关等场景。
类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
通道类型：双路N沟道
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：20A
导通电阻（Rds(on)）：4.8mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：3.8W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SO-8
DSI35-18A MOSFET的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件在Vgs=10V时的Rds(on)仅为4.8mΩ，确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。
此外，DSI35-18A采用了紧凑的SO-8封装形式，能够在有限的空间内提供出色的电气性能和热管理能力。该封装设计有助于提高PCB布局的灵活性，并简化散热设计。
该MOSFET具有较高的电流承载能力，每个通道可支持高达20A的连续漏极电流，适用于高功率密度应用。同时，其最大栅源电压为±20V，使其在各种控制电路中具备良好的兼容性和稳定性。
DSI35-18A还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，增强了器件在极端工作条件下的可靠性。其工作温度范围覆盖-55°C至+150°C，适应工业级和汽车级应用的需求。
总体而言，DSI35-18A是一款性能优异、可靠性高的双路MOSFET器件，适用于需要高效能、小尺寸和高稳定性的电源管理系统。
DSI35-18A广泛应用于多种电源管理和开关系统中。在DC-DC转换器中，该器件可以作为同步整流器，提高转换效率并减少热量产生。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于负载开关电路，以实现对高功率设备的高效控制。
在电池管理系统中，DSI35-18A可用于电池充放电路径的切换，提供可靠的导通和断开能力，确保系统安全运行。此外，该MOSFET还可用于电机驱动电路、LED照明控制以及各种工业自动化设备中的功率开关应用。
由于其优异的热性能和紧凑的封装设计，DSI35-18A也适用于空间受限但需要高性能功率开关的便携式电子设备，如笔记本电脑、平板电脑和智能电源管理模块。
SiSS18DN、BSC010N03MS、NTMFS4843NT、FDMS3610
