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HM1-65642/883 发布时间 时间:2025/4/29 11:28:28 查看 阅读:16

HM1-65642/883是一种高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具备高效率、低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著降低系统功耗并提升整体性能。
  HM1-65642/883系列芯片以其卓越的电气特性和可靠性,在工业控制、消费电子以及汽车电子领域得到了广泛应用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  额定电压:650V
  额定电流:16A
  导通电阻(典型值):0.15Ω
  栅极电荷:45nC
  最大功耗:200W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220

特性

HM1-65642/883的主要特点包括:
  1. 高耐压能力,可承受高达650V的工作电压,适用于高压应用环境。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),在大电流条件下能有效减少功率损耗。
  3. 快速开关速度,确保在高频工作状态下的高效运行。
  4. 内置过温保护功能,提高了系统的稳定性和安全性。
  5. 符合RoHS标准,环保且易于焊接加工。
  6. 工作温度范围宽广,适应各种严苛的工作条件。

应用

该芯片适用于多种电力电子应用场景,主要包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流器。
  2. 电机驱动电路中的功率级元件。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
  4. LED照明驱动电路中的功率控制元件。
  5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  由于其出色的性能和可靠性,HM1-65642/883成为众多设计工程师的首选功率MOSFET解决方案。

替代型号

IRFP250N, STP16NM65, FDP16N65

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