时间：2025/6/13 14:26:05
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LL1005-FH18NJ0402-18N 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率转换芯片，专为高频开关应用设计。该芯片集成了增强型 GaN 场效应晶体管（eGaN FET），并具有出色的开关特性和低导通电阻，适用于高效率、小体积的电源转换系统。
其封装形式为 LL1005，具有良好的散热性能和紧凑的设计，可显著提高功率密度，同时降低系统的整体成本。
型号：LL1005-FH18NJ0402-18N
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
导通电阻（Rds(on)）：40 mΩ
击穿电压（Vds）：650 V
栅极驱动电压（Vgs）：+6 V / -3 V
最大漏极电流（Id）：18 A
封装形式：LL1005
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
LL1005-FH18NJ0402-18N 芯片采用先进的氮化镓半导体材料，具备以下主要特性：
1. 高频开关能力：支持高达数 MHz 的开关频率，适合高频 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 低导通电阻：仅为 40 mΩ，能够有效减少导通损耗。
3. 快速开关速度：拥有极低的输入和输出电容，从而实现快速开关，降低开关损耗。
4. 紧凑封装：LL1005 封装形式节省空间，同时保持优异的热性能。
5. 高可靠性：经过严格测试，确保在极端条件下稳定运行。
这款芯片广泛应用于高效率功率转换领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电动车充电设备（EV 充电器）
3. 数据中心电源模块
4. 太阳能逆变器
5. 工业电机驱动
6. 消费类快充适配器
其高频和高效的特点使其成为现代电子设备中不可或缺的关键元件。
FH18N65SG,
FH18N65TG,
LL1005-FH18NJ0402-20N
