HLMP-EL3B-VWLDD是安捷伦(Agilent)/安世半导体(Nexperia)生产的一款高亮度表面贴装LED(发光二极管)器件,属于其HLMP-ELxx系列中的一员。该LED器件采用先进的InGaN(氮化铟镓)技术制造,具备高亮度、低功耗和长寿命等特点,适用于需要高可见性和可靠性的应用场合。HLMP-EL3B-VWLDD封装形式为SMT(表面贴装技术),便于自动化生产和紧凑型设计。其发光颜色通常为白色,适合背光、指示灯、照明等多个领域。该器件的工作温度范围较宽,适应多种环境条件,广泛用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
类型:高亮度LED
封装类型:SMT(表面贴装)
发光颜色:白色
材料:InGaN(氮化铟镓)
正向电压(VF):典型值为3.2V
正向电流(IF):最大额定值为30mA
反向电压(VR):最大额定值为5V
最大功耗:120mW
工作温度范围:-40°C至+85°C
储存温度范围:-40°C至+100°C
尺寸:约3.2mm x 2.8mm x 1.1mm(具体尺寸可能因版本不同而略有差异)
HLMP-EL3B-VWLDD是一款性能优异的高亮度LED器件,具有多项技术优势。首先,采用InGaN技术使其在白色发光方面表现出色,具备较高的光效和稳定的发光特性。其高亮度特性确保在各种光照环境下依然具有良好的可视性,适用于指示灯、显示背光等对亮度要求较高的应用场景。
其次,该LED器件的封装采用SMT技术,支持表面贴装工艺,能够有效提升生产效率和焊接可靠性,适合大规模自动化生产。此外,SMT封装还具有良好的热管理和机械稳定性,有助于延长LED的使用寿命。
HLMP-EL3B-VWLDD的正向电压典型值为3.2V,在标准工作电流(如20mA)下功耗较低,具有良好的能效表现,适合对功耗敏感的应用场合。该器件的最大正向电流为30mA,具备一定的过载能力,适用于多种驱动电路设计。
此外,该LED器件具有宽广的工作温度范围(-40°C至+85°C),适应性强,能够在严苛的工业环境和汽车电子系统中稳定运行。其储存温度范围也较宽(-40°C至+100°C),方便在不同气候条件下的运输和存储。
HLMP-EL3B-VWLDD的封装尺寸较小(约3.2mm x 2.8mm x 1.1mm),适合高密度PCB布局,适用于空间受限的设计,如便携式设备、面板指示灯等。整体来看,HLMP-EL3B-VWLDD是一款性能稳定、可靠性高、适用范围广的高亮度白色LED器件。
HLMP-EL3B-VWLDD因其高亮度、低功耗和小型化设计,被广泛应用于多个领域。在消费电子方面,常用于手机、平板电脑、智能手表等设备的背光、指示灯和用户界面照明。在工业控制领域,适用于操作面板、状态指示灯、测量仪器显示等场合,提供清晰可见的视觉反馈。
此外,该LED器件在汽车电子中也有广泛应用,如仪表盘背光、车内照明、导航系统显示等,满足车载环境对稳定性和可靠性的要求。在医疗设备中,HLMP-EL3B-VWLDD可用于设备状态指示、显示屏背光等功能,确保在不同光照条件下都能清晰可见。
由于其优异的亮度和色温表现,HLMP-EL3B-VWLDD也适用于商业照明、广告标识、安全指示等小型照明系统。结合其SMT封装特性,适用于自动化生产线和高密度PCB布局,满足现代电子产品对小型化、轻量化的需求。
HLMP-EL3B-WWLDD, HLMP-EL3B-VWUBB, ASMT-DBB3-0AA02, ASMT-DBB3-0AB02