RF5515TR7 时间：2025/8/16 9:29:41 阅读：23

RF5515TR7是由RFMD（现为Qorvo）生产的一款高性能射频功率晶体管，采用GaAs（砷化镓）材料制造，适用于高功率和高频率应用。该器件封装在SOT-89（TR7）小型表面贴装封装中，适合用于无线基础设施、蜂窝基站、广播设备和工业控制系统中的射频放大器设计。RF5515TR7具有高线性度、高增益和良好的热稳定性，能够提供稳定且高效的射频输出。

参数

类型：射频功率晶体管
　　材料：GaAs
　　封装：SOT-89（TR7）
　　工作频率范围：DC至6 GHz
　　最大漏极电流：1000 mA
　　最大漏极电压：28 V
　　输出功率：典型值为15 W（在2.14 GHz）
　　增益：典型值为12 dB
　　效率：典型值为55%
　　工作温度范围：-40°C至+150°C

特性

RF5515TR7是一款广泛用于射频功率放大器的晶体管，具备优异的线性度和效率，适用于多种高频应用。其采用的GaAs技术提供了出色的高频性能和稳定性，能够在高达6 GHz的频率范围内可靠工作。该器件在2.14 GHz频率下可提供15 W的输出功率，增益约为12 dB，效率可达55%以上，适合高功率密度的设计需求。此外，SOT-89封装使其易于集成到紧凑型射频电路中，同时具备良好的散热性能。
　　RF5515TR7的线性度表现优异，能够满足对信号失真要求较高的通信系统需求，如W-CDMA、CDMA和TDMA等数字通信标准。其良好的热稳定性确保在高温环境下仍能保持稳定工作，延长了器件的使用寿命。此外，该晶体管的偏置电压较低，有助于简化电源设计并降低整体系统功耗。

应用

RF5515TR7广泛应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、微波链路、广播发射机和测试设备中的射频功率放大器。它也可用于工业和医疗设备中的射频能量控制，以及雷达和电子战系统中的高频放大器模块。此外，该器件在多载波通信系统中表现出良好的线性度，适合用于4G LTE和5G前传网络中的远程射频单元（RRU）和分布式天线系统（DAS）。