时间：2025/9/3 5:07:13
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XPC755BRX350LE 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻和高开关性能。该型号封装为 TSOP（小型轮廓封装），适用于需要紧凑布局和高效能的应用场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流：75 A
最大漏源电压：30 V
最大栅源电压：20 V
导通电阻（Rds(on)）：5.5 mΩ（最大）
功耗：125 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
XPC755BRX350LE 具有多个高性能特性。首先，它的导通电阻非常低，仅为 5.5 mΩ，这使得在大电流应用中导通损耗显著降低，提高了整体效率。其次，该 MOSFET 采用了先进的沟槽技术，优化了开关性能，从而减少了开关过程中的能量损耗，适用于高频操作。此外，该器件的漏极电流额定值高达 75 A，能够承受较大的负载电流，适用于各种高功率电子系统。
在封装方面，XPC755BRX350LE 采用了 TSOP 封装形式，体积小巧，适合在高密度 PCB 设计中使用。其散热性能良好，能够在较高温度环境下稳定工作。该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适应性强，适合工业级和汽车级应用。此外，XPC755BRX350LE 还具备良好的抗雪崩能力，能够在过压和过流情况下提供更高的可靠性。
XPC755BRX350LE 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器以及电池管理系统中。由于其低导通电阻和高电流承载能力，它特别适用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统，例如服务器电源、电动汽车充电系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件也可用于汽车电子系统，如车载逆变器、车载充电器和电动助力转向系统等。
Si7452DP, IRF7452
