SH21B332K500CT 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低能耗并提高系统效率。
这款芯片主要针对需要高效能功率转换的应用设计,其封装形式和电气特性使得它在高频率工作条件下表现出色。
型号:SH21B332K500CT
类型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源电压):500V
Rds(on)(导通电阻):332mΩ
Id(持续漏极电流):6A
Qg(栅极电荷):40nC
Vgs(th)(栅极开启电压):2.5V~4.5V
Pd(最大耗散功率):150W
结温范围:-55℃~175℃
SH21B332K500CT 具有以下显著特性:
1. 高耐压能力,额定漏源电压为500V,适用于高压环境下的应用。
2. 低导通电阻,在大电流应用场景下可以减少功率损耗。
3. 快速开关速度,适合高频开关电源及转换器设计。
4. 稳定的工作性能,能够在较宽的温度范围内正常运行,适应恶劣的工作条件。
5. 封装形式紧凑,便于集成到各种电路板中,同时提供良好的散热性能。
6. 优异的抗静电能力,提高了产品的可靠性。
SH21B332K500CT 可以广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 电机驱动和控制电路,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动。
3. 能量存储系统中的功率管理模块。
4. 工业自动化设备中的功率转换电路。
5. LED驱动电源以及其他需要高效功率转换的电子设备。
IRFP250N, STP55NF06L