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HL28 发布时间 时间:2025/8/11 16:13:36 查看 阅读:27

HL28是一种高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高电压和高效率的电源转换系统中。该器件设计用于在极端工作条件下提供稳定的性能,具有低导通电阻和高开关速度的特点。HL28适用于各种功率电子设备,如开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机控制电路。

参数

类型:N沟道MOSFET
  工作电压:600V
  最大电流:7A
  导通电阻:0.85Ω
  封装类型:TO-220
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  输入电容:1200pF

特性

HL28 MOSFET采用了先进的平面技术,具有优异的热稳定性和高耐用性。其低导通电阻(Rds(on))确保了在高负载条件下能够保持较低的功率损耗,提高了系统的整体效率。此外,HL28的高耐压能力(600V)使其适用于高压环境,能够在各种严苛条件下稳定运行。
  该器件还具有快速开关特性,可以有效减少开关损耗,提高系统的动态响应能力。HL28的TO-220封装设计提供了良好的散热性能,确保器件在高电流工作时能够保持较低的温度。此外,它还具备较高的抗静电能力,能够有效防止因静电放电(ESD)引起的损坏,提高了器件的可靠性。
  HL28的设计还考虑到了易用性和兼容性,可以轻松集成到现有的电路设计中,并与其他常见的功率器件兼容。其标准化的引脚排列和封装尺寸使得替换和升级变得更加简单。

应用

HL28主要应用于需要高压和高效率的电力电子系统中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和工业自动化控制系统。此外,它还可以用于照明设备、电池充电器以及各种电源管理模块中。HL28的高耐压能力和低导通电阻使其在需要高可靠性和高效能的场合中表现出色,是许多工业和消费电子设备中的理想选择。

替代型号

IRF840, FQP13N60, STP7NK60Z

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