容量：256K x 4位
　　电压：5V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　访问时间：5.4ns
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　数据保持电压：2V至5.5V
　　最大工作频率：166MHz
　　数据输入/输出模式：三态输出

HM534253BZ-6是一款高性能的异步DRAM芯片，具有256K x 4位的存储容量，适用于需要较大内存缓冲的应用场景。该芯片的工作电压为5V，确保了稳定的电源供应，并具备较宽的数据保持电压范围（2V至5.5V），使其在不同环境条件下都能保持数据的完整性。该芯片的访问时间为5.4ns，支持高达166MHz的工作频率，提供快速的数据读写能力，有助于提升系统的整体性能。
　　该芯片采用54引脚的TSOP封装，具有较小的封装体积和良好的散热性能，适用于高密度PCB布局。其三态输出功能允许数据总线在非激活状态下进入高阻抗状态，避免了总线冲突，提高了系统的稳定性和可靠性。此外，HM534253BZ-6的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种工业环境，包括高温和低温条件下的应用。
　　该芯片还支持多种刷新模式，包括自动刷新和自刷新模式，能够在低功耗模式下保持数据不丢失，适合需要长时间运行的应用系统。其异步控制方式使其与多种控制器兼容，简化了系统设计和集成过程。

HM534253BZ-6广泛应用于需要中等容量内存缓冲的设备中，例如工业控制设备、通信设备、测试仪器、嵌入式系统和消费类电子产品。其高速访问能力和低功耗特性使其成为图像处理、数据缓存和临时存储等场景的理想选择。在工业自动化系统中，该芯片可用于存储实时数据和程序代码；在通信设备中，可作为缓冲存储器用于数据传输和处理；在测试设备中，可用于临时存储测试数据和结果。此外，该芯片还可用于老式个人计算机、视频控制器和图形加速器等设备中，提供稳定可靠的内存支持。

IS61LV25616-10B4BLI, CY7C199BN, HM534256BFP-6