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HY5PS12821C 发布时间 时间:2025/9/2 20:48:30 查看 阅读:7

HY5PS12821C是一款由Hynix(现为SK Hynix)制造的高性能动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于PSRAM(Pseudo Static RAM)类别。这款芯片集成了DRAM的高密度存储能力与类似SRAM的操作接口,适用于需要高速数据访问和中等存储容量的应用场景。HY5PS12821C的容量为128Mb,采用CMOS工艺制造,具有低功耗、高性能和高集成度的特点。

参数

容量:128Mb
  组织方式:x16
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:55ns(最大)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:54引脚 TSOP
  时钟频率:最大166MHz
  数据输入/输出方式:异步
  功耗(典型值):100mA(待机模式)
  数据保持电流:10mA(数据保持模式)

特性

HY5PS12821C具备多项先进的技术特性,使其在多种应用场景中表现出色。首先,该芯片支持异步操作模式,能够适应多种主控器的时序要求,简化了系统设计并提高了兼容性。其次,该芯片内置自动刷新机制,支持自刷新(Self-Refresh)模式,能够在低功耗状态下保持数据完整性,适用于便携式设备和需要低功耗运行的系统。
  此外,HY5PS12821C的工作电压范围较宽,为2.3V至3.6V,适用于多种电源管理系统,增强了其在不同应用环境下的适应能力。其高速访问时间为55ns,支持高达166MHz的时钟频率,能够满足对数据访问速度有较高要求的系统需求。
  在封装方面,HY5PS12821C采用54引脚TSOP封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,适合高密度PCB布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级和车载级应用环境,确保在严苛条件下的稳定运行。
  该芯片还支持数据掩码(Data Mask)功能,允许在写入操作中选择性地屏蔽部分数据位,提升了数据处理的灵活性和效率。此外,其异步控制信号(如CE、OE、WE)使其能够与多种微处理器和控制器无缝连接,广泛应用于通信设备、工业控制、消费电子和汽车电子等领域。

应用

HY5PS12821C广泛应用于需要中等容量高速存储的系统中,如网络路由器、工业控制器、图像处理模块、嵌入式系统、便携式电子产品和车载电子设备。其优异的低功耗性能使其在电池供电设备中表现出色,而其宽温工作特性也适合于恶劣环境下的长期运行。此外,该芯片常用于缓存存储器、帧缓冲区、数据缓冲区等场景,以提升系统性能和响应速度。

替代型号

IS66WV12816BLL-55NLI, CY7C1470V30-55BVI, IDT71V128SA7.5Y

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