HY5PS12821C 时间：2025/9/2 20:48:30 阅读：22

HY5PS12821C是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的高性能动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于PSRAM（Pseudo Static RAM）类别。这款芯片集成了DRAM的高密度存储能力与类似SRAM的操作接口，适用于需要高速数据访问和中等存储容量的应用场景。HY5PS12821C的容量为128Mb，采用CMOS工艺制造，具有低功耗、高性能和高集成度的特点。

参数

容量：128Mb
　　组织方式：x16
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：55ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：54引脚 TSOP
　　时钟频率：最大166MHz
　　数据输入/输出方式：异步
　　功耗（典型值）：100mA（待机模式）
　　数据保持电流：10mA（数据保持模式）

特性

HY5PS12821C具备多项先进的技术特性，使其在多种应用场景中表现出色。首先，该芯片支持异步操作模式，能够适应多种主控器的时序要求，简化了系统设计并提高了兼容性。其次，该芯片内置自动刷新机制，支持自刷新（Self-Refresh）模式，能够在低功耗状态下保持数据完整性，适用于便携式设备和需要低功耗运行的系统。
　　此外，HY5PS12821C的工作电压范围较宽，为2.3V至3.6V，适用于多种电源管理系统，增强了其在不同应用环境下的适应能力。其高速访问时间为55ns，支持高达166MHz的时钟频率，能够满足对数据访问速度有较高要求的系统需求。
　　在封装方面，HY5PS12821C采用54引脚TSOP封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合高密度PCB布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级和车载级应用环境，确保在严苛条件下的稳定运行。
　　该芯片还支持数据掩码（Data Mask）功能，允许在写入操作中选择性地屏蔽部分数据位，提升了数据处理的灵活性和效率。此外，其异步控制信号（如CE、OE、WE）使其能够与多种微处理器和控制器无缝连接，广泛应用于通信设备、工业控制、消费电子和汽车电子等领域。

应用

HY5PS12821C广泛应用于需要中等容量高速存储的系统中，如网络路由器、工业控制器、图像处理模块、嵌入式系统、便携式电子产品和车载电子设备。其优异的低功耗性能使其在电池供电设备中表现出色，而其宽温工作特性也适合于恶劣环境下的长期运行。此外，该芯片常用于缓存存储器、帧缓冲区、数据缓冲区等场景，以提升系统性能和响应速度。