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HHV1206R7222K202NSLJ 发布时间 时间:2025/7/18 16:52:14 查看 阅读:13

HHV1206R7222K202NSLJ 是一款高性能的高压 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电压、大电流的应用场景设计。该型号属于国际整流器公司(International Rectifier,已被英飞凌收购)的 HHV 系列,采用 TO-247 封装形式,具有出色的开关特性和导通性能。其主要用途包括开关电源、电机驱动、逆变器和 DC-DC 转换器等应用。

参数

最大漏源电压:1200V
  连续漏极电流:6A
  栅极阈值电压:4V
  导通电阻:0.72Ω
  总功耗:250W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:TO-247

特性

HHV1206R7222K202NSLJ 具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力:额定电压高达 1200V,适用于高电压环境下的开关应用。
  2. 低导通电阻:在高电压 MOSFET 中,其导通电阻仅为 0.72Ω,有助于降低功率损耗。
  3. 快速开关速度:具备优秀的开关性能,能够有效减少开关损耗。
  4. 高温适应性:工作温度范围宽广,最高可达 175℃,适合高温工业环境。
  5. 强大的电流承载能力:连续漏极电流达 6A,确保器件在高负载条件下稳定运行。
  6. 可靠性高:采用先进的制造工艺和封装技术,确保产品长期使用的可靠性。

应用

HHV1206R7222K202NSLJ 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于高效能开关电源的设计。
  2. 电机驱动:适用于各类电机控制和驱动系统。
  3. 工业逆变器:用于太阳能逆变器和其他类型的工业逆变器。
  4. DC-DC 转换器:用于需要高效率转换的场合。
  5. 电动车与混合动力车:作为电力电子模块的核心元件之一。
  6. 不间断电源(UPS):提供稳定的电源支持。

替代型号

IRG4PC30UPBF
  IXTH12N120P4
  FDP18N120
  STP12NM120

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