FDS6681Z-NL 时间：2025/6/3 10:49:29 阅读：22

FDS6681Z-NL 是一款由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 DPAK 封装，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用中。
　　这款功率 MOSFET 以其低导通电阻 (Rds(on)) 和高效率著称，适合需要高性能和低功耗的应用场景。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大连续漏极电流：24A
　　导通电阻：5mΩ
　　栅极电荷：13nC
　　总电容：700pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 150℃

特性

FDS6681Z-NL 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可减少传导损耗并提高系统效率。
　　2. 高额定电流能力，适用于大功率应用。
　　3. 快速开关性能，能够有效降低开关损耗。
　　4. 较低的栅极电荷使驱动更简单，并且减少了驱动电路的复杂性。
　　5. 工作温度范围宽广，适应恶劣环境下的使用需求。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装设计。
　　FDS6681Z-NL 的这些特性使其成为工业和消费电子领域中广泛应用的理想选择。

应用

FDS6681Z-NL 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源中的功率转换级。
　　2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关。
　　3. 电机驱动中的半桥或全桥配置。
　　4. 各种负载开关和保护电路。
　　5. 照明系统的 LED 驱动电路。
　　其卓越的电气性能和可靠性确保了在各种复杂应用中的稳定表现。