FDS6681Z-NL 是一款由 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 DPAK 封装,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用中。
这款功率 MOSFET 以其低导通电阻 (Rds(on)) 和高效率著称,适合需要高性能和低功耗的应用场景。
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:24A
导通电阻:5mΩ
栅极电荷:13nC
总电容:700pF
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
FDS6681Z-NL 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力,适用于大功率应用。
3. 快速开关性能,能够有效降低开关损耗。
4. 较低的栅极电荷使驱动更简单,并且减少了驱动电路的复杂性。
5. 工作温度范围宽广,适应恶劣环境下的使用需求。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅封装设计。
FDS6681Z-NL 的这些特性使其成为工业和消费电子领域中广泛应用的理想选择。
FDS6681Z-NL 主要应用于以下领域:
1. 开关电源中的功率转换级。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关。
3. 电机驱动中的半桥或全桥配置。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. 照明系统的 LED 驱动电路。
其卓越的电气性能和可靠性确保了在各种复杂应用中的稳定表现。
FDS6680Z, FDP5500, IRFZ44N