时间：2025/6/29 13:10:39
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HH21N7R5C101CT 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
HH21N7R5C101CT 的封装形式为 TO-220，具备良好的散热性能，适合在高功率密度的应用场景中使用。此外，该器件还具有较高的雪崩击穿能力和 ESD 保护能力，确保其在严苛的工作环境下仍能保持稳定可靠。
最大漏源电压：75V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：5A
脉冲漏极电流：35A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：35nC
反向恢复时间：8ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
HH21N7R5C101CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用，可降低开关损耗。
3. 强大的雪崩击穿能力，提升了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 内置 ESD 保护功能，增强了芯片的抗静电能力。
5. 封装设计优化了热阻性能，使其在高温环境中依然表现出色。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到各种工业和消费类电子设备中。
HH21N7R5C101CT 广泛适用于以下应用场景：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的驱动级功率 MOSFET。
4. 各种负载开关及保护电路。
5. 电池管理系统中的充放电控制开关。
6. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
由于其出色的电气性能和可靠性，HH21N7R5C101CT 在需要高效能和紧凑设计的场合尤为适用。
IRFZ44N, FDP5570, STP55NF06L
