时间：2025/4/28 18:55:18
阅读：2
SI7818DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和高开关效率的特点，非常适合用于各种功率转换和负载开关应用。
这款 MOSFET 的封装形式为 DPAK（TO-252），具有较高的电流处理能力和良好的散热性能。其出色的电气特性使其在消费电子、工业设备以及通信系统中得到了广泛应用。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：40A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：110nC（典型值）
输入电容：1920pF（典型值）
总功耗：120W
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
SI7818DN-T1-GE3 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力，可满足大功率应用的需求。
3. 紧凑的 DPAK 封装设计，便于 PCB 布局和散热管理。
4. 宽工作温度范围，确保在极端环境条件下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
6. 优秀的开关性能，适用于高频开关应用。
7. 内置反向二极管，简化电路设计并减少外部元件需求。
SI7818DN-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 消费类电子产品中的电池管理系统。
6. 通信系统中的 DC/DC 转换器。
7. 各种需要高效功率切换的应用场景。
SI7818DP-T1-GE3, IRF7818
