类型：DDR3 SDRAM
　　容量：8Gbit (512M x 16)
　　工作电压：1.5V ± 0.075V（标准模式），可选1.35V/1.5V混合模式（取决于具体子型号）
　　数据速率：1600 Mbps（对应时钟频率800MHz）
　　速度等级：PC3-12800（7-7-7-20 @ 800MHz）
　　封装类型：FBGA（精细间距球栅阵列）
　　引脚数：96-ball或类似紧凑型BGA配置
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C（结温）
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　刷新周期：标准模式下tREFI = 7.8μs（常温）
　　典型功耗：依据使用情况动态变化，读写操作期间平均功耗约为1.5W（估算值）
　　最大访问时间：tAC ≤ 0.6ns（在标称条件下）
　　突发长度：支持BL8（突发长度8）与BC4（突发截断4）
　　数据掩码功能：支持DQM进行输出使能/屏蔽控制

K4T51163QQ-BCF7000具备多项先进的DDR3内存特性，显著提升了系统性能与能效表现。首先，该芯片采用了8n预取架构，这是DDR3的核心技术之一，通过内部并行读取8位数据并在外部接口上串行输出，实现了高带宽的数据传输效率。这种架构使得即使在相对较低的核心频率下也能达到较高的等效数据速率，从而在保证性能的同时降低整体功耗。
　　其次，该器件集成了多种省电机制。除了常规的自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self-Refresh）模式外，还支持深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），在此模式下核心电路被完全关闭，仅保留必要的偏置电流，极大延长了电池供电设备的待机时间。此外，温度补偿自刷新（TCSR）功能可根据芯片实际温度动态调整刷新周期——当温度升高时增加刷新频率以防止数据丢失，而在低温环境下则减少刷新次数以节省能耗，这一机制在移动设备中尤为重要。
　　再者，K4T51163QQ-BCF7000支持ZQ校准功能，允许通过外部参考电阻（通常为240Ω±1%）对输出驱动阻抗和片内终端（ODT）进行精确校正，确保信号完整性，尤其是在高频运行或多负载布线环境中。这有助于减少反射、串扰和时序偏差，提高系统的稳定性和可靠性。同时，其支持可编程ODT设置，可在读写过程中动态启用片上终端匹配，进一步优化信号质量。
　　该芯片还兼容JEDEC标准的命令编码协议，支持多种突发模式、读写时序调节和延迟设定，便于系统级调试与性能调优。其高密度集成设计减少了PCB占用面积，适合用于紧凑型主板布局。综合来看，这些特性使其成为追求高性能与低功耗平衡的理想选择，广泛应用于各类需要大容量、高速缓存支持的现代电子系统中。

K4T51163QQ-BCF7000广泛应用于需要高性能、低功耗和高集成度内存解决方案的电子系统中。其主要应用场景包括移动智能终端，如高端智能手机和平板电脑，在这些设备中作为主内存（RAM）使用，支持多任务处理、高清视频播放、大型游戏运行以及快速应用程序切换，满足用户对流畅操作体验的需求。此外，该芯片也常见于嵌入式计算平台，例如工业控制单元、车载信息娱乐系统（IVI）、数字标牌和瘦客户机等，这些系统对内存带宽和稳定性有较高要求，同时受限于散热和供电条件，因此需要具备高效能比的DRAM组件。
　　在网络通信领域，该器件可用于路由器、交换机、基站基带处理模块等设备中，用于暂存数据包、缓冲队列管理及协议处理过程中的临时存储需求，保障高速数据流的连续性和响应速度。在消费类电子产品方面，如智能电视、机顶盒、AR/VR头显设备等，K4T51163QQ-BCF7000能够提供足够的内存资源来支撑复杂图形渲染、实时音视频解码和操作系统运行。
　　此外，由于其支持宽温工作范围和可靠的刷新机制，该芯片也可部署于部分工业级和扩展温度环境下的应用场合，如监控摄像头、自动化测试仪器和边缘计算节点等。在服务器和存储系统的某些低功耗节点或辅助控制器中，也可能采用此类颗粒作为本地内存扩展。总体而言，凡是需要8Gb容量级别、DDR3接口标准且注重功耗控制与信号完整性的应用场景，K4T51163QQ-BCF7000都是一个极具竞争力的选择。

K4B511646B-BCF7
　　K4T51163QC-BCT7
　　MT4JTF51264AZ-1G4B1G:C
　　EDY51163BBG-70:E