时间：2025/6/21 4:29:09
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HH21N3R6C500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能功率开关器件，适用于高频和高效率应用场景。该器件采用了先进的 GaN 工艺，具有极低的导通电阻和快速的开关速度，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、无线充电设备以及太阳能逆变器等领域。
其封装形式为增强散热性能设计，支持大电流连续工作，并具备出色的热稳定性和可靠性。HH21N3R6C500CT 的主要特点是能够显著降低功率损耗，同时提高系统的整体效率。
额定电压：650V
导通电阻：3.6mΩ
最大漏极电流：500A
栅极阈值电压：2.5V~4.5V
输入电容：12nF
反向恢复时间：8ns
结温范围：-55℃~+175℃
封装形式：CT（定制化散热增强型）
HH21N3R6C500CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有效减少导电损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，支持高达数兆赫兹的工作频率。
3. 高击穿电压，确保在高压环境下可靠运行。
4. 热阻较低的封装技术，有助于提高功率密度并改善散热性能。
5. 内置静电保护电路，增强了器件的鲁棒性。
6. 支持宽范围的工作温度，适应多种极端环境条件。
HH21N3R6C500CT 广泛用于以下领域：
1. 高频 DC-DC 转换器，尤其是服务器及通信电源中。
2. 太阳能光伏微型逆变器和储能系统。
3. 电动车车载充电器 (OBC) 和电机驱动控制器。
4. 数据中心高效电源模块。
5. 无线充电发射端与接收端功率传输控制。
6. 消费电子产品的快充适配器设计。
HH21N3R6C400CT, HH21N4R5C500CT, GX3R6C500D
