时间：2025/7/12 0:12:43
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HH21N220J500CT是一款高压、大电流的MOSFET功率器件，广泛应用于电源开关、电机驱动、逆变器等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和快速的开关速度，能够有效提升电路效率并降低功耗。
HH21N220J500CT属于N沟道增强型MOSFET，其设计目标是满足高电压和大电流的应用需求，同时保证出色的可靠性和稳定性。由于其优异的电气特性，它在工业控制、汽车电子及消费类电子产品中得到了广泛应用。
最大漏源电压：220V
连续漏极电流：500A
栅极阈值电压：2.1V~4.5V
导通电阻（典型值）：3mΩ
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃~175℃
封装形式：CT（定制化封装）
1. 高压支持：HH21N220J500CT可承受高达220V的最大漏源电压，适用于各种高压应用场景。
2. 大电流承载能力：连续漏极电流可达500A，使其适合用于大功率负载控制。
3. 低导通电阻：仅3mΩ的导通电阻显著降低了传导损耗，提升了整体系统效率。
4. 快速开关性能：具有较快的开关速度，减少开关损耗，尤其在高频应用中有明显优势。
5. 宽温工作范围：能够在-55℃至175℃的极端环境下稳定运行，适应性强。
6. 可靠性高：经过严格的测试流程，确保在长时间使用中的可靠性。
HH21N220J500CT主要应用于以下领域：
1. 工业设备中的开关电源和不间断电源（UPS）。
2. 电动汽车及混合动力汽车的电机控制器。
3. 高效逆变器和转换器的设计。
4. 大功率LED驱动电路。
5. 各种需要高压大电流处理的场景，如焊接机、电磁炉等。
HH21N220J400CT, IRF220, STP220N50L
