类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：20A
　　导通电阻(Rds(on))：0.045Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：D2PAK

ATN3590-07具备多项优异的电气和物理特性，使其适用于高要求的功率转换应用。首先，该MOSFET的低导通电阻（Rds(on)）仅为0.045Ω，显著降低了导通损耗，提高了整体系统的能效。其次，其最大漏源电压（Vds）为100V，适用于多种中高压电源转换系统，如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。
　　此外，ATN3590-07支持高达±20V的栅源电压（Vgs），提高了栅极控制的灵活性，并增强了器件的稳定性。器件的连续漏极电流（Id）为20A，能够在高负载条件下稳定运行，适用于高性能电源系统。
　　该MOSFET采用D2PAK封装，具有良好的热管理能力，能够有效散热，从而在高功率密度设计中表现出色。同时，其宽工作温度范围（-55°C至+175°C）确保了在极端环境下的可靠运行，适用于工业控制、汽车电子和通信设备等严苛应用场景。
　　ATN3590-07还具备优异的开关性能，较低的输入电容（Ciss）和快速的开关时间，使其在高频开关应用中表现优异，减少了开关损耗，提高了系统的响应速度和能效。

ATN3590-07广泛应用于多个高性能电源管理系统中。在DC-DC转换器中，该MOSFET可以作为主开关器件，用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，提供高效的电压转换。在电机驱动系统中，ATN3590-07可用于H桥结构，控制直流电机的正反转及速度调节，具备良好的负载能力和热稳定性。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS），作为负载开关或充放电控制开关，确保电池在安全范围内工作。在电源管理模块中，ATN3590-07可用于负载切换、电源分配和过载保护等功能，提升系统的可靠性和效率。
　　由于其高可靠性和宽温度范围，ATN3590-07也常见于汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等。在工业自动化设备中，该MOSFET可用于PLC模块、传感器电源管理及执行机构控制电路中，满足复杂工业环境下的应用需求。

SiHF20N100DD-GE3, FQA20N100TM