HSM83TR 时间：2025/9/7 6:21:26 阅读：13

HSM83TR 是一款由 Renesas（瑞萨电子）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能、高可靠性的电源管理应用。这款 MOSFET 采用高性能硅技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高系统效率。HSM83TR 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及工业控制设备中。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ（典型值）
　　最大功耗（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

HSM83TR MOSFET 具备多项优异特性，首先是其低导通电阻，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。其次，该器件具有高耐压能力，漏极-源极电压（Vds）可达到 30V，适用于多种中低电压功率应用。其栅极驱动电压范围较宽，兼容标准逻辑电平控制，便于与各种控制器或驱动器配合使用。
　　此外，HSM83TR 采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和高效热管理。该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在突发电压冲击下的稳定性与可靠性。
　　由于其优良的电气性能和稳定的工作表现，HSM83TR 被广泛应用于电源适配器、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关、电池管理系统以及各种工业和消费类电子设备中。

应用

HSM83TR 常用于各类功率电子系统中，例如：DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关控制、电池充放电管理电路、电机驱动器以及工业自动化控制系统。其低导通电阻和高电流承载能力也使其适用于高效率、高密度的电源模块设计。此外，在汽车电子系统、便携式设备电源管理以及智能电网相关设备中，HSM83TR 同样具备良好的适用性。