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BZB984-C12,115 发布时间 时间:2025/9/14 6:51:30 查看 阅读:6

BZB984-C12,115是一款由NXP Semiconductors生产的射频(RF)晶体管,主要用于高频放大器应用。这款晶体管采用了先进的硅双极技术,适用于通信系统、广播设备和其他需要高线性度和高效率的射频应用。该器件在设计上优化了高频性能,能够在高频率下提供稳定的增益和良好的热稳定性。

参数

类型: RF晶体管
  制造商: NXP Semiconductors
  晶体管类型: 双极型
  频率范围: 高频(HF)到超高频(UHF)
  最大功率耗散: 15W
  最大集电极-发射极电压(Vceo): 30V
  最大集电极电流(Ic): 1.5A
  增益带宽积: 150MHz
  工作温度范围: -65°C 至 +150°C

特性

BZB984-C12,115晶体管具有多项显著特性,使其成为高频放大器设计的理想选择。首先,其硅双极型结构提供了优异的高频响应,能够在高频段保持较高的增益,确保信号放大质量。其次,该晶体管的热稳定性设计使得其在高温环境下仍能维持稳定工作,从而提高了整体系统的可靠性。此外,该器件还具备较低的失真特性,适用于需要高线性度的应用,如无线通信中的射频放大器和调制解调器。最后,BZB984-C12,115在封装上采用了标准的TO-220封装形式,便于安装和散热管理,适用于多种电路布局和设计需求。

应用

该晶体管广泛应用于各类射频电子设备中,包括无线通信基站、广播发射机、专业通信设备、高频放大器模块以及工业控制系统中的信号处理单元。此外,它也适用于一些需要高增益、高频率响应的音频放大设备和测试测量仪器。由于其优异的线性度和稳定性,BZB984-C12,115特别适合用于要求严格的通信系统中的功率放大和信号调制电路。

替代型号

BZB984-C12,115的替代型号包括BZB984-C12和BZB984-C12,132。这些型号在性能和封装上相似,可以作为替代使用。

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BZB984-C12,115参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管/齐纳阵列
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)12V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 8V
  • 配置1 对共阳极
  • 功率 - 最大265mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)10 欧姆
  • 容差±5%
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-663
  • 供应商设备封装SOT-663
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-
  • 其它名称934057245115BZB984-C12 T/RBZB984-C12 T/R-ND