HH18N332J160CT是一种基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频和高功率应用设计。该器件采用了先进的GaN-on-Si工艺,具有出色的开关特性和导通性能,适用于电源转换、射频放大器以及各类高频功率电子设备。
相比传统的硅基MOSFET,HH18N332J160CT能够在更高的频率下运行,同时保持较低的导通电阻和开关损耗,从而显著提升系统的效率和功率密度。
额定电压:650V
额定电流:30A
导通电阻:45mΩ
栅极电荷:90nC
反向恢复时间:10ns
工作温度范围:-55℃ to +150℃
封装形式:TO-247
HH18N332J160CT的核心优势在于其卓越的高频性能和低损耗特性。该器件具备以下特点:
1. 高开关速度:由于GaN材料的独特性质,该器件能够以极高的频率运行,适合高频电源转换应用。
2. 低导通电阻:在额定电流条件下,导通电阻仅为45mΩ,显著降低传导损耗。
3. 高效率:优化的结构设计使得开关损耗最小化,从而提高整体系统效率。
4. 耐高温性能:支持高达+150℃的工作温度,适应恶劣环境下的稳定运行。
5. 紧凑型设计:采用TO-247封装,便于集成到各种功率模块中。
HH18N332J160CT广泛应用于需要高性能功率转换和高频操作的领域,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS):如服务器电源、通信电源等高效率电源解决方案。
2. 射频功率放大器:适用于无线通信基站、雷达系统等高频功率放大场景。
3. 新能源逆变器:如太阳能逆变器、风力发电系统中的DC/AC转换。
4. 电动汽车充电设施:用于快速充电桩中的高效功率转换模块。
5. 工业电机驱动:提供高效率的变频控制方案。
HH18N332J120CT, HH18N332J180CT