H5TQ2G83DFR-H9J 时间：2025/9/2 13:54:59 阅读：28

H5TQ2G83DFR-H9J 是由SK Hynix生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于高带宽内存解决方案，适用于高性能计算、服务器和网络设备等对内存性能要求较高的应用场景。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺和封装技术，确保了其在高频运行时的稳定性和可靠性。

参数

类型：DRAM
　　容量：2GB
　　数据速率：1600Mbps
　　电压：1.35V（低电压版本）
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：130-ball
　　接口类型：x8
　　工作温度范围：-40°C至85°C

特性

H5TQ2G83DFR-H9J 是一款基于DDR3 SDRAM技术的低电压、高带宽内存芯片。该芯片采用了先进的1.35V电源设计，相较于传统的1.5V DDR3内存，能够在保持相同性能水平的同时显著降低功耗，适用于对能效要求较高的系统设计。此外，该芯片支持1600Mbps的数据传输速率，能够提供高达12.8GB/s的带宽，满足高性能计算需求。封装方面，该DRAM采用了130-ball FBGA封装，具有良好的电气性能和热管理能力，适用于紧凑型PCB布局。
　　该芯片支持多种刷新模式和低功耗模式，包括部分阵列自刷新（Partial Array Self-Refresh, PASR）和温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR），可在不同工作条件下优化能耗。此外，H5TQ2G83DFR-H9J 还集成了ZQ校准功能，支持输出驱动器阻抗调整（ODT），以确保信号完整性，提高系统的稳定性。其工作温度范围为-40°C至85°C，适用于工业级和宽温应用环境。

应用

H5TQ2G83DFR-H9J 通常用于高性能计算平台、服务器、网络设备、嵌入式系统以及工业控制设备。其低电压设计和高带宽特性使其适用于笔记本电脑、超极本、平板电脑等移动设备，以及需要长时间稳定运行的工业和通信系统。此外，该内存芯片也可用于图形处理单元（GPU）和专用集成电路（ASIC）系统中，作为高速缓存或主存储器使用。