H5TQ2G83DFR-H9J 是由SK Hynix生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于高带宽内存解决方案,适用于高性能计算、服务器和网络设备等对内存性能要求较高的应用场景。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺和封装技术,确保了其在高频运行时的稳定性和可靠性。
类型:DRAM
容量:2GB
数据速率:1600Mbps
电压:1.35V(低电压版本)
封装类型:FBGA
封装尺寸:130-ball
接口类型:x8
工作温度范围:-40°C至85°C
H5TQ2G83DFR-H9J 是一款基于DDR3 SDRAM技术的低电压、高带宽内存芯片。该芯片采用了先进的1.35V电源设计,相较于传统的1.5V DDR3内存,能够在保持相同性能水平的同时显著降低功耗,适用于对能效要求较高的系统设计。此外,该芯片支持1600Mbps的数据传输速率,能够提供高达12.8GB/s的带宽,满足高性能计算需求。封装方面,该DRAM采用了130-ball FBGA封装,具有良好的电气性能和热管理能力,适用于紧凑型PCB布局。
该芯片支持多种刷新模式和低功耗模式,包括部分阵列自刷新(Partial Array Self-Refresh, PASR)和温度补偿自刷新(Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR),可在不同工作条件下优化能耗。此外,H5TQ2G83DFR-H9J 还集成了ZQ校准功能,支持输出驱动器阻抗调整(ODT),以确保信号完整性,提高系统的稳定性。其工作温度范围为-40°C至85°C,适用于工业级和宽温应用环境。
H5TQ2G83DFR-H9J 通常用于高性能计算平台、服务器、网络设备、嵌入式系统以及工业控制设备。其低电压设计和高带宽特性使其适用于笔记本电脑、超极本、平板电脑等移动设备,以及需要长时间稳定运行的工业和通信系统。此外,该内存芯片也可用于图形处理单元(GPU)和专用集成电路(ASIC)系统中,作为高速缓存或主存储器使用。
H5TQ2G83MFR-H9C, H5TQ1G83EFR-H9A, H5TQ2G83FFR-PBA