时间：2025/4/28 17:57:18
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BYG23M-E3/TR 是一款基于 NPN 硅结构设计的双极型晶体管（BJT），主要用于信号放大和开关应用。该器件具有低饱和电压、高增益和良好的频率响应特性，适用于消费电子、工业控制以及通信设备中的各种电路场景。
集电极-发射极击穿电压：45V
集电极最大电流：1.5A
直流电流增益（hFE）：最小值100，典型值300
集电极-发射极饱和电压：0.3V（@IC=100mA, IB=10mA）
功率耗散：625mW
过渡频率（fT）：150MHz
工作温度范围：-55℃至+150℃
BYG23M-E3/TR 的主要特点包括高电流增益，能够提供稳定的性能表现，同时其低饱和电压特性有助于提高效率并减少功耗。
此外，该器件具备较高的频率响应能力，可以满足高频应用场景的需求。由于采用了小型化的封装形式（如 SOT-23 封装），它非常适合用于空间受限的设计环境。
该晶体管还拥有较宽的工作温度范围，使其能够在恶劣条件下保持可靠性。
BYG23M-E3/TR 广泛应用于需要高效开关或线性放大的场合。例如，音频放大器、信号调节模块、驱动电路以及电源管理单元等。
在汽车电子领域，它可以作为传感器接口的一部分；在家电产品中，则可能被用作电机控制器的核心元件之一。此外，在通信系统里，这款晶体管也可以承担数据传输链路中的部分功能。
BC847B
MMBT2222A
2SC1815
