时间：2025/6/26 17:05:34
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HH18N301G500CT是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、逆变器、电机驱动和其他高电压应用领域。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频和高效能条件下运行。
HH18N301G500CT属于N沟道增强型MOSFET，其额定电压高达500V，能够承受较高的漏源电压，适合用于工业和消费类电子设备中的功率转换电路。
最大漏源电压：500V
最大连续漏电流：18A
导通电阻（典型值）：0.18Ω
栅极阈值电压：2V~4V
总功耗：175W
工作温度范围：-55℃~150℃
HH18N301G500CT具有以下显著特点：
1. 高击穿电压能力，适用于高压应用场景。
2. 较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
3. 快速开关性能，支持高频操作。
4. 稳定的动态参数，在不同负载条件下表现一致。
5. 采用TO-247封装形式，提供良好的散热性能。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
这些特性使得HH18N301G500CT在高效率功率转换和电机控制等应用中表现出色。
HH18N301G500CT广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 工业用逆变器
3. 不间断电源（UPS）系统
4. 电机驱动与控制
5. 太阳能逆变器
6. 能量回收和再生制动系统
由于其高耐压和大电流承载能力，该器件特别适合需要高可靠性和高性能的场合。
IRFP460, STP18NF50, FQA18N50C
