时间：2025/6/29 13:15:48
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HH18N272J160CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，非常适合用于各种功率转换和开关应用。其封装形式为 TO-252（DPAK），适用于表面贴装技术，有助于实现紧凑型设计。
这款 MOSFET 的额定电压为 270V，使其能够适应多种高压应用场景。同时，它还具备优异的抗雪崩能力和低栅极电荷特性，可以显著提高系统的效率和可靠性。
型号：HH18N272J160CT
类型：N 沟道增强型 MOSFET
额定电压：270V
额定电流：16A
导通电阻：0.12Ω（典型值）
栅极电荷：35nC（最大值）
连续漏极电流：16A（25℃环境温度下）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252（DPAK）
HH18N272J160CT 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力：270V 的额定电压可满足多种高压应用需求。
2. 低导通电阻：典型值仅为 0.12Ω，有助于减少传导损耗。
3. 快速开关速度：低栅极电荷和快速恢复时间提高了系统效率。
4. 优秀的热性能：适合长时间在高温环境下稳定运行。
5. 抗雪崩能力：确保在异常条件下仍能正常工作。
6. 表面贴装封装：易于自动化生产和小型化设计。
HH18N272J160CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动器中的逆变器或斩波器模块。
3. 工业控制设备中的负载开关。
4. LED 照明驱动电路。
5. 充电器和适配器中的高效功率转换。
6. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
IRFZ44N, FQP16N20, STP16NF20
