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PMPB23XNEAX 发布时间 时间:2025/9/14 11:58:48 查看 阅读:13

PMPB23XNEAX 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率密度和高效能的电源管理应用。该器件采用了先进的沟槽栅技术,提供了低导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,使其成为 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制等应用的理想选择。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏极电流(ID):60A
  最大漏源电压(VDS):30V
  导通电阻 Rds(on)(最大值):9.2mΩ @ VGS=10V
  栅极电压范围:-20V 至 +20V
  功率耗散(PD):125W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:PowerFLAT 5x6
  引脚数:8

特性

PMPB23XNEAX 具备多项优异的电气和热性能特点。首先,其低导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高整体系统的效率。该器件的高电流承载能力(60A)和耐压能力(30V)使其适用于多种中高功率应用场景。此外,PMPB23XNEAX 采用了 PowerFLAT 5x6 封装,具有较小的封装体积和良好的散热性能,适合高密度 PCB 设计。
  该 MOSFET 还具有较低的栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗,提高开关频率下的性能表现。同时,其具备较高的雪崩能量承受能力,增强了器件在瞬态电压条件下的可靠性。器件的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平(可由 4.5V 至 20V 驱动),便于与多种控制器或驱动 IC 配合使用。
  另外,该器件符合 RoHS 环保标准,适用于自动化贴片生产工艺,具备良好的可焊性和长期稳定性,适用于工业、汽车和消费类电子等多种应用环境。

应用

PMPB23XNEAX 主要应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。典型应用包括同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动电路、服务器电源、工业自动化设备以及汽车电子系统等。其低导通电阻和高电流能力也使其适合用于电源管理模块中的主开关或同步整流器,提升整体效率和热性能。
  在电机控制应用中,PMPB23XNEAX 可用于 H 桥结构中的高低侧开关,提供高效的电机驱动能力。在电池管理系统中,它可作为充放电路径的开关元件,确保低损耗和高稳定性。此外,在服务器和通信设备的电源模块中,该器件可有效提升能效比,满足绿色能源标准要求。

替代型号

IPD60R1K4PFD7S, FDS6680, SiR340DP, NVTFS5C471NL

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PMPB23XNEAX参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥1.13490卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)22 毫欧 @ 7A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)17 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1136 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.7W(Ta),12.5W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DFN2020MD-6
  • 封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘