FDD86113L 时间：2025/12/29 15:23:47 阅读：11

FDD86113L 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和良好的热性能。FDD86113L 采用先进的 PowerTrench? 技术制造，使其在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，适用于如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机控制等应用。该器件采用 TO-252（DPAK）封装，便于散热并适合高密度电路设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：100A（在 Vgs=10V 时）
　　导通电阻 Rds(on)：最大 1.9mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（Pd）：125W
　　输入电容（Ciss）：约 2450pF（典型值）
　　上升时间（tr）：约 22ns（典型值）
　　下降时间（tf）：约 18ns（典型值）

特性

FDD86113L 的核心特性之一是其极低的导通电阻 Rds(on)，在 Vgs=10V 时最大仅为 1.9mΩ，这使得它在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　该器件采用了 Fairchild 的 PowerTrench? 技术，这种先进的沟槽式 MOSFET 工艺优化了电场分布，提升了器件的开关性能和可靠性。
　　FDD86113L 支持高达 100A 的连续漏极电流，适用于大功率负载的控制和驱动。
　　其封装形式为 TO-252（DPAK），这种表面贴装封装具有良好的热管理和机械稳定性，适合用于 PCB 高密度布局。
　　此外，该 MOSFET 具有较高的栅极电压容限（±20V），使其在栅极驱动电路设计上更具灵活性。
　　由于其快速的开关时间（上升时间约 22ns，下降时间约 18ns），FDD86113L 可用于高频开关应用，如同步整流和 DC-DC 转换器，从而减小外部电感和电容的尺寸，提高整体功率密度。
　　该器件还具备良好的温度稳定性，在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内均可稳定工作，适用于工业级和汽车级应用环境。

应用

FDD86113L 主要用于各种功率电子系统中，尤其是在需要高效、大电流开关能力的场合。常见的应用包括同步整流器、DC-DC 降压和升压转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理模块、服务器电源和电信设备电源等。
　　在同步整流应用中，FDD86113L 可以替代传统二极管整流器，显著提升转换效率并减少发热。
　　在 DC-DC 转换器中，该器件可作为主开关或同步开关使用，尤其适用于高电流输出的应用，如 VRM（电压调节模块）和 POL（负载点）电源。
　　在电机控制和负载开关电路中，FDD86113L 可以提供高效的电流控制和快速响应能力，适用于工业自动化、电动工具和汽车电子系统。
　　此外，其良好的热性能和高功率密度特性使其在空间受限的高功率应用中具有优势。