时间：2025/6/21 3:01:40
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HH18N1R5D500CT是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，能够在高频条件下提供优异的性能。
型号：HH18N1R5D500CT
类型：N沟道增强型MOSFET
Vds（漏源电压）：500V
Rds(on)（导通电阻）：1.5Ω
Id（连续漏极电流）：18A
Qg（栅极电荷）：35nC
Ciss（输入电容）：2250pF
EAS（雪崩能量）：1.8J
封装形式：TO-247
HH18N1R5D500CT具有以下特点：
1. 高耐压能力：其额定漏源电压为500V，适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻仅为1.5Ω，从而减少了传导损耗。
3. 快速开关性能：较低的栅极电荷使得开关速度更快，能够有效降低开关损耗。
4. 高可靠性：内置雪崩保护功能，可承受高达1.8J的雪崩能量，增强了器件的鲁棒性。
5. 热稳定性：采用TO-247封装形式，具备良好的散热性能，适用于高功率场景。
6. 广泛的工作温度范围：支持-55℃至+150℃的工作温度区间，适应各种恶劣环境。
HH18N1R5D500CT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源：用于DC-DC转换器和AC-DC适配器中，提高系统效率。
2. 电机驱动：适用于无刷直流电机和其他类型的电动机控制电路。
3. 太阳能逆变器：作为关键的功率开关元件，实现高效的能量转换。
4. UPS不间断电源：提供可靠的功率输出和保护功能。
5. 工业自动化设备：如变频器、伺服驱动器等，满足工业级应用需求。
6. 汽车电子：可用于车载充电器、LED驱动器等汽车相关产品。
IRFP460N, STP18NF50M5
