AON7522E 时间：2025/8/2 8:32:00 阅读：30

AON7522E是一款由Alpha and Omega Semiconductor（AOS）推出的高性能双N沟道增强型功率MOSFET器件，采用先进的Trench技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能。该器件封装为DFN5x6，适用于高功率密度应用，如DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及电池供电设备等。AON7522E的设计优化了开关性能，从而降低了开关损耗，提高了整体系统效率。

参数

类型：功率MOSFET
　　通道类型：双N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：8A（单通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：13mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：17mΩ @ VGS=4.5V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：DFN5x6

特性

AON7522E具备多项显著的技术特性，首先其采用先进的Trench MOSFET技术，大幅降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。其次，该器件的双N沟道结构设计使其在单一封装中实现两个独立的MOSFET通道，节省了PCB空间并简化了电路布局。
　　此外，AON7522E具有较高的热稳定性，DFN5x6封装提供了良好的散热性能，能够在高电流负载下保持稳定的工作状态，从而提高了系统的可靠性。其低栅极电荷（Qg）特性也优化了开关速度，降低了开关损耗，使其非常适合高频开关应用。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V的VGS电压，使其能够兼容多种控制器和驱动电路，包括使用3.3V或5V电源的系统。这种灵活性使得AON7522E在各种电源管理应用中都能发挥出色的表现。

应用

AON7522E广泛应用于多种电源管理系统和功率控制电路中。其主要应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及各类便携式电子设备中的功率开关控制。
　　在服务器、通信设备和工业控制系统中，AON7522E常用于高效电源模块和负载分配电路中，以实现更高的能效和更小的PCB面积。此外，由于其优异的热性能和可靠的工作特性，该器件也适用于需要长时间高负载运行的自动化控制系统和电动工具中。
　　在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机，AON7522E可用于电源管理IC（PMIC）的外围开关元件，实现对不同功能模块的高效供电控制。