时间：2025/7/12 0:09:21
阅读：13
HH18N1R0B500CT 是一款基于硅技术的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换和电机驱动等领域。该器件采用 N 沟道设计，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能等特性。其封装形式为 TO-220，适用于高电流、高电压的应用场景。
最大漏源电压：500V
最大连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：0.1Ω
栅极电荷：45nC
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
HH18N1R0B500CT 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，可承受高达 500V 的漏源电压。
2. 极低的导通电阻（0.1Ω 典型值），能够有效减少功率损耗。
3. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷（45nC），适合高频应用。
4. 热稳定性强，能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温范围内可靠运行。
5. 强大的过流保护功能，确保在异常条件下仍能维持正常工作。
6. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
HH18N1R0B500CT 常用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器的核心功率器件。
4. 不间断电源（UPS）系统中的功率转换模块。
5. 各类需要高压、大电流处理能力的电力电子设备。
6. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统（BMS）及牵引逆变器。
IRFP250N, STP18NF50, FDP18N50A
