EPC2L120 时间：2025/5/22 12:12:29 阅读：11

EPC2L120是Efficient Power Conversion (EPC) 公司推出的一款基于氮化镓（GaN）技术的增强型场效应晶体管（eGaN FET）。该器件具有极低的导通电阻和快速开关特性，适用于高频、高效能的电源转换应用。与传统的硅基MOSFET相比，EPC2L120能够在更高的频率下运行，并提供更低的损耗。
　　EPC2L120采用芯片级封装（CSP），这种封装方式显著减小了寄生电感，从而进一步提升了其高频性能。此外，由于其出色的热特性和电气性能，EPC2L120在DC-DC转换器、无线充电、激光雷达以及电机驱动等应用场景中表现出色。

参数

额定电压：100V
　　导通电阻：8.5mΩ
　　栅极阈值电压：1.7V~3.6V
　　最大漏极电流：40A
　　封装形式：CSP
　　工作温度范围：-55℃~+150℃

特性

EPC2L120是一款增强型GaN FET，其主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），使其在高功率密度应用中具备优异的效率表现。
　　2. 高速开关能力，支持MHz级别的开关频率，这有助于缩小无源元件的尺寸并降低系统成本。
　　3. 紧凑的芯片级封装设计，有效减少寄生电感对性能的影响。
　　4. 良好的热性能，能够承受较宽的工作温度范围。
　　5. 内置ESD保护功能，增强了器件在实际应用中的可靠性。
　　这些特性使得EPC2L120成为新一代高效能电源管理系统中的理想选择。

应用

EPC2L120因其卓越的性能而被广泛应用于以下领域：
　　1. DC-DC转换器：用于服务器高效电源转换。
　　2. 无线充电：支持更高功率和更快速度的无线充电解决方案。
　　3. 激光雷达（LiDAR）：为自动驾驶和工业自动化提供高速脉冲驱动。
　　4. 电机驱动：在电动工具、无人机及其他小型电机控制系统中实现高效驱动。
　　5. 快速充电适配器：助力开发更小、更轻且高效的充电设备。
　　通过利用其高频和高效的特点，EPC2L120可以满足众多高性能需求的应用场景。