时间：2025/6/24 3:51:22
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HH18N102G500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），该器件具有出色的高频和高效性能，适用于各种电力电子应用。相比传统的硅基功率器件，HH18N102G500CT 提供了更低的导通电阻、更高的开关速度以及更小的寄生电容，从而能够显著提升系统的效率与功率密度。
该型号是专为高压和高速应用设计的增强型 GaN 晶体管，其封装形式适合表面贴装工艺，便于在现代工业及消费类电子产品中的使用。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：4A
导通电阻：100mΩ
栅极-源极电压：±6V
反向恢复电荷：无
开关频率：最高可达 10MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252
HH18N102G500CT 的主要特性包括：
1. 高效性能：由于氮化镓材料的独特性质，该器件具有极低的导通电阻和开关损耗，可实现高达 99% 的系统效率。
2. 快速开关能力：开关频率可达到 MHz 级别，这使得它非常适合高频 AC-DC 或 DC-DC 转换器应用。
3. 热稳定性强：能够在宽广的工作温度范围内保持稳定的电气特性。
4. 小型化设计：得益于氮化镓技术，该器件体积较小，有助于减少整体电路板面积。
5. 易于驱动：兼容标准逻辑电平，简化了驱动电路设计。
HH18N102G500CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：
- 用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中以提高效率和功率密度。
2. 无线充电：
- 在谐振拓扑结构中实现高效的能量传输。
3. 太阳能逆变器：
- 支持高频操作，从而减小磁性元件尺寸并降低热损耗。
4. 汽车电子：
- 特别是在车载充电器和 DC-DC 转换器中，提供高性能解决方案。
5. 消费类电子产品：
- 包括快充适配器和其他需要高效电源管理的应用场景。
HH18N100G650CT, EPC2020
