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LMSZ2V7ET1G 发布时间 时间:2025/8/13 5:10:31 查看 阅读:21

LMSZ2V7ET1G是一款由ON Semiconductor生产的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和电路保护应用。该器件具有2.7V的标称齐纳电压,适用于需要稳定和精确电压参考的电路设计。

参数

器件类型:齐纳二极管
  最大耗散功率:200mW
  齐纳电压:2.7V
  齐纳电流:5mA
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:SOD-523
  尺寸:1.6mm x 0.8mm x 0.45mm
  极性:单极

特性

LMSZ2V7ET1G齐纳二极管具有低动态电阻,能够在负载变化时提供稳定的电压输出。该器件的低漏电流特性确保了在非导通状态下的高效能表现,同时其小型SOD-523封装设计使其适用于高密度PCB布局。
  这款齐纳二极管的热阻较低,能够有效减少温度对电压稳定性的负面影响,从而提高整体电路的可靠性。此外,LMSZ2V7ET1G还具有快速响应时间,能够在电压突变时迅速进入导通状态以保护下游电路。
  在制造工艺方面,LMSZ2V7ET1G采用了ON Semiconductor的先进半导体技术,确保了器件在不同工作条件下的稳定性和一致性。其封装材料符合RoHS标准,支持环保应用设计。

应用

LMSZ2V7ET1G广泛应用于便携式电子设备、通信模块、工业控制系统和汽车电子系统中,作为电压参考源和过压保护元件。在电源管理电路中,它可以作为基准电压源来调节输出电压,或在信号调理电路中提供精确的参考点。
  该器件还常用于ADC(模数转换器)和DAC(数模转换器)电路中,作为精确的参考电压源,以确保转换精度。在电池供电设备中,LMSZ2V7ET1G可以用来监测电池电压并提供低电压警告功能。
  此外,LMSZ2V7ET1G也可用于ESD(静电放电)保护电路中,为敏感的电子元件提供额外的保护层。

替代型号

MM3Z2V7T1G, BZT52C-B2R-17-F

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