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GA1206A1R0CXEBC31G 发布时间 时间:2025/5/12 19:00:26 查看 阅读:20

GA1206A1R0CXEBC31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。该芯片具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够在高频率和高效率的工作环境下提供稳定的性能表现。
  这款芯片采用了先进的半导体制造工艺,具备出色的热稳定性和电气特性,能够有效降低功率损耗并提升系统整体效率。

参数

型号:GA1206A1R0CXEBC31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  工作电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):100A
  导通电阻(Rds(on)):0.75mΩ
  栅极电荷(Qg):45nC
  输入电容(Ciss):2800pF
  输出电容(Coss):105pF
  反向传输电容(Crss):49pF
  最大功耗:150W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA1206A1R0CXEBC31G具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适用于高频开关应用环境。
  3. 高电流承载能力,支持大功率设备运行。
  4. 良好的热稳定性,确保在高温条件下依然保持可靠性能。
  5. 小型封装设计,便于PCB布局和系统集成。
  6. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
  7. 符合RoHS环保标准,满足绿色产品设计需求。

应用

GA1206A1R0CXEBC31G广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器等。
  2. 电机驱动,包括无刷直流电机(BLDC)控制。
  3. DC-DC转换器,用于电压调节和能量管理。
  4. 太阳能逆变器,实现光伏能源高效转换。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统中的负载切换和电源管理。
  7. 其他需要高性能功率开关的应用场景。

替代型号

GA1206A1R0CXEBC21G, GA1206A1R0CXEBA31G

GA1206A1R0CXEBC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-