DMP2004DWK 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用小型化封装设计,具有低导通电阻和高效率的特点,广泛应用于各种功率管理应用中。它特别适合用于负载开关、电源转换、电机驱动等场景。
型号:DMP2004DWK
类型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源极电压):30V
Rds(on)(导通电阻):5.8mΩ(典型值,Vgs=10V时)
Id(连续漏极电流):7A
Vgs(th)(栅极开启电压):1.1V(典型值)
封装:DFN2020-6
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
DMP2004DWK 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 采用小型 DFN2020-6 封装,适合空间受限的设计。
3. 支持低至 1.1V 的栅极开启电压,适用于低压应用场景。
4. 高电流处理能力,可支持高达 7A 的连续漏极电流。
5. 较宽的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定性。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
这些特性使其非常适合便携式电子设备、汽车电子以及工业控制等领域的应用。
DMP2004DWK 常用于以下应用领域:
1. 负载开关:在便携式设备中实现快速切换和保护功能。
2. 电源管理:如 DC/DC 转换器、开关电源中的功率级元件。
3. 电机驱动:用于小型直流电机或步进电机的控制。
4. 开关模式电源:作为功率开关或同步整流元件。
5. 电池管理系统:用于电池充放电路径的控制与保护。
其高效率和小尺寸的特点,使其成为许多现代电子产品中不可或缺的元件。
DMP2004UFQ, DMN2004UFQ