类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：6A（在Vgs=4.5V时）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 10mΩ（在Vgs=4.5V时）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23、DFN

DMF2076 具备多项优良特性，使其在电源管理和功率开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）特性显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。其次，该 MOSFET 的最大漏源电压为 20V，能够承受一定的电压应力，适用于多种中低电压电源转换系统。
　　此外，DMF2076 的连续漏极电流为 6A，在高频开关应用中可以提供稳定的电流输出。该器件的栅源电压为 ±12V，具有良好的栅极驱动兼容性，适用于常见的 PWM 控制器和驱动 IC。功率耗散为 2.5W，表明其在正常工作条件下具备良好的热性能。
　　DMF2076 还具备宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C），能够在严苛的环境条件下稳定运行。其采用的 SOT-23 或 DFN 封装形式，不仅节省空间，而且具有良好的热管理能力，适用于便携式设备、电源适配器、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等应用。

DMF2076 被广泛应用于多种电源管理系统和功率控制电路中。在便携式电子设备中，它常用于电池管理系统，作为高侧或低侧开关，实现对电池充放电的高效控制。在电源适配器和小型 DC-DC 转换器中，DMF2076 可作为主开关器件，提高转换效率并减少发热。
　　该 MOSFET 也常用于负载开关电路中，用于控制不同负载的供电，避免电流冲击和短路风险。在电机驱动、LED 驱动和传感器供电等应用中，DMF2076 可以作为功率开关，提供快速的开关响应和稳定的电流输出。
　　此外，DMF2076 还适用于服务器、通信设备和工业自动化系统中的电源模块，为这些高可靠性设备提供高效的功率管理解决方案。

DMF2075, DMF2085, AO4406, Si2302