时间：2025/7/10 12:38:37
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HH18N101F101CT 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，适合于需要高频率操作和低损耗的应用场合。
其封装形式为 TO-252(DPAK)，能够提供良好的散热性能和电气特性。
型号：HH18N101F101CT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：6.7A(在25℃)
导通电阻(Rds(on))：100mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：14nC（典型值）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252(DPAK)
HH18N101F101CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高频应用中减少传导损耗，提高整体效率。
2. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷 (Qg)，适用于高频开关电路。
3. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件在过载条件下的可靠性。
4. 紧凑的 DPAK 封装，具备优秀的热性能，有助于散热管理。
5. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +150℃)，适应多种恶劣环境下的使用需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
HH18N101F101CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和适配器中的同步整流功能。
2. 电机驱动电路，特别是小型直流无刷电机控制。
3. 各种 DC-DC 转换器设计，包括降压、升压以及反激拓扑。
4. 过流保护电路和负载开关。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的功率级开关。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其高效的特性和紧凑的设计，HH18N101F101CT 成为许多高密度功率转换应用的理想选择。
IRF540N, FQP16N10, BUK9N10-60E
