时间：2025/7/25 17:00:18
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FMMT624TA 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高频率开关应用，具有低导通电阻、高功率密度和良好的热性能。FMMT624TA 采用 SOT-223 封装，适用于多种电源管理和功率转换应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：60V
栅源电压 Vgs：±20V
漏极电流 Id（连续）：3A
导通电阻 Rds(on)：最大 0.12Ω @ Vgs=10V
功率耗散：1.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：SOT-223
FMMT624TA 具有多个优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件的栅极电荷（Qg）较低，使其在高频开关应用中表现出色，减少开关损耗。
此外，FMMT624TA 的热阻较低，使其能够有效散热，从而提高器件在高功率应用中的可靠性。该器件还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供额外的安全保障。
由于其封装尺寸小、重量轻，FMMT624TA 特别适合对空间要求较高的设计。同时，其符合 RoHS 标准，适合环保型电子产品制造。
FMMT624TA 主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。此外，它也适用于工业自动化设备中的电机控制、LED 照明驱动电路以及消费类电子产品中的功率开关控制。
在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、车身控制模块以及电动工具的电源管理电路中。由于其优异的高频开关性能，也广泛应用于电源适配器、UPS（不间断电源）和电源管理系统。
FMMT624TA 的替代型号包括 FMMT624CTA、BUZ72A、IRLML6401、Si2302DS
