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1N4679 发布时间 时间:2025/5/15 13:02:29 查看 阅读:7

1N4679是一种常见的硅肖特基势垒二极管。该器件主要用于高频和快速开关应用,具有较低的正向电压降和较高的开关速度。与传统PN结二极管相比,1N4679表现出更小的反向恢复时间,因此非常适合于高频整流、逆变器电路以及开关电源等场景。
  由于其优良的性能,1N4679在各种电子产品中被广泛使用,尤其是在需要高效能和低损耗的应用场合。

参数

最大重复峰值反向电压:75V
  最大平均整流电流:2A
  最大正向电压(IF=2A):0.7V
  最大反向电流(VR=75V):5uA
  结电容:约10pF
  存储温度范围:-65℃ to 175℃
  工作温度范围:-65℃ to 150℃

特性

1N4679采用肖特基结构,具备低正向压降的特点,有助于减少功率损耗并提高效率。
  它的反向恢复时间非常短,通常小于5ns,这使得它在高频应用中表现出色。
  此外,该二极管还具有良好的热稳定性,在高温环境下依然能够保持稳定运行。
  封装形式一般为TO-220或DO-204,便于安装和散热设计。
  由于其高可靠性和优异性能,1N4679成为许多工程师在设计高速开关电路时的首选元件。

应用

1N4679适用于多种电子设备和系统,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源中的续流二极管,用于保护晶体管免受感应电压损害。
  2. 高频整流电路,如无线电设备中的信号检波。
  3. 太阳能电池板的最大功率点跟踪(MPPT)控制器中的同步整流。
  4. 电动工具及家用电器内的电机驱动保护电路。
  5. 各类通信设备和工业自动化控制装置中的信号隔离与转换。
  总之,任何需要高效、快速响应的整流或保护功能的地方都可以考虑使用1N4679。

替代型号

1N5817
  1N5818
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1N4679参数

  • 制造商Central Semiconductor
  • 齐纳电压1.9 V
  • 电压容差5 %
  • 功率耗散500 mW
  • 最大反向漏泄电流5 uA
  • 最大工作温度+ 200 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体DO-35
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 65 C