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TFS7704H 发布时间 时间:2025/8/7 13:01:20 查看 阅读:37

TFS7704H是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专门设计用于高效率、高频率的电源转换应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电池管理系统等电路。TFS7704H采用SOP(小外形封装)或类似表面贴装封装,便于在高密度PCB设计中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):4A
  最大漏-源电压(VDS):30V
  导通电阻(RDS(on)):最大30mΩ(在VGS=10V)
  栅极阈值电压(VGS(th)):1.5V ~ 2.5V
  最大功耗(PD):2.5W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C

特性

TFS7704H具有多项优异的电气特性,首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高电源转换效率,特别适用于高电流应用场景。其次,该器件采用先进的沟槽式结构设计,提高了电流密度和热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。此外,TFS7704H的快速开关特性使其适用于高频开关电源设计,减少开关损耗,提高系统响应速度。
  该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能,增强了系统的可靠性和稳定性。其SOP封装形式不仅体积小巧,而且具有良好的热管理和电气性能,适用于便携式电子设备和空间受限的电路设计。TFS7704H还具有较低的输入电容和反向传输电容,有助于减少高频噪声和开关延迟,提高整体系统性能。

应用

TFS7704H广泛应用于各种电源管理系统和电子设备中,包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池充电电路、电源管理模块以及工业控制设备。由于其低导通电阻和高频开关特性,TFS7704H非常适合用于需要高效率和紧凑设计的电源系统,如笔记本电脑、平板电脑、智能手机、便携式电源、LED驱动器以及各类低电压高电流应用的嵌入式系统。

替代型号

Si2302DS, AO3400A, IRF7404, FDS6675

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TFS7704H参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格300 : ¥28.30167管件
  • 系列HiperTFS?-2
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 输出类型晶体管驱动器
  • 功能升压,降压
  • 输出配置正,可提供隔离
  • 拓扑反激,正激转换器
  • 输出数2
  • 输出阶段1
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)最高 11.5V
  • 频率 - 开关66kHz,132kHz
  • 占空比(最大)63%
  • 同步整流器
  • 时钟同步
  • 串行接口-
  • 控制特性使能,复位
  • 工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳16-SSIP,12 引线,裸露焊盘,成形引线
  • 供应商器件封装eSIP-16F