时间：2025/7/1 22:17:11
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HH18N0R9C500CT 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能，广泛应用于电源管理、电机驱动以及消费类电子产品等领域。
HH18N0R9C500CT 属于 N 沟道增强型 MOSFET，其设计能够满足现代电子设备对高效能和小体积的需求。该型号通过优化栅极电荷和导通电阻参数，在开关速度和传导损耗之间实现了良好平衡。
型号：HH18N0R9C500CT
类型：N沟道 MOSFET
工作电压(Vdss)：500V
连续漏极电流(Id)：9A
导通电阻(Rds(on))：180mΩ
栅极电荷(Qg)：45nC
结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
功耗(PD)：135W
1. 高击穿电压 (500V)，适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻 (180mΩ)，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关能力，得益于较小的栅极电荷 (45nC)，能够在高频条件下稳定运行。
4. 良好的热稳定性，支持长时间高温操作。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
6. 封装为 TO-220，易于集成到各种电路设计中，同时具备优秀的散热性能。
HH18N0R9C500CT 广泛应用于需要高电压和大电流处理能力的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 逆变器和不间断电源 (UPS) 系统。
3. 工业控制中的电机驱动和电磁阀控制。
4. LED 照明驱动器。
5. 充电器和适配器。
6. 家用电器及消费类电子产品的电源模块。
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