时间：2025/9/26 13:20:06
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RP170N601D-TR-FE是一款由Richtek（立锜科技）推出的高性能、高压、大电流的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源以及电机驱动等高效率功率转换场景。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在高频开关应用中实现了优异的能效表现。其额定电压为600V，适用于离线式电源系统和工业级电源模块。器件封装形式为SOT-23，具有小型化、易于表面贴装的特点，适合对空间要求严格的高密度电路板设计。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长时间稳定运行，满足工业、消费类及家电等多种应用场景的需求。
RP170N601D-TR-FE通过严格的品质管控和可靠性测试，符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺。其栅极阈值电压设计合理，便于与各类驱动IC或控制器配合使用，实现快速开关动作。由于采用了Richtek成熟的功率半导体工艺，该器件在抗雪崩能力、dv/dt抑制和短路耐受方面表现出色，增强了系统的鲁棒性。该型号后缀中的“-TR-FE”表示产品为卷带包装（Tape and Reel），适用于自动化贴片生产，提升制造效率。整体而言，RP170N601D-TR-FE是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的中高压MOSFET解决方案，特别适合用于反激式转换器、LED驱动电源和待机电源等拓扑结构中。
型号：RP170N601D-TR-FE
制造商：Richtek（立锜科技）
器件类型：N沟道MOSFET
漏源电压VDS：600V
连续漏极电流ID（@25°C）：1.0A
脉冲漏极电流IDM：4.0A
导通电阻RDS(on)：典型值9.0Ω（@VGS=10V）
栅极阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 4.0V
栅极电荷Qg（总）：典型值6.5nC（@VDS=480V, ID=0.5A）
输入电容Ciss：典型值22pF
输出电容Coss：典型值10pF
反向恢复时间trr：典型值25ns
最大功耗PD：1.2W
工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-23
RP170N601D-TR-FE在设计上充分考虑了高压开关应用中的关键性能指标，展现出卓越的电气特性和稳定性。首先，其600V的高耐压能力使其能够直接应用于市电整流后的母线电压环境，无需额外的电压钳位或保护电路，简化了系统设计并提高了可靠性。该器件的低导通电阻（RDS(on)仅为9.0Ω）显著降低了导通损耗，在轻载和中等负载条件下提升了整体能效，尤其适用于强调节能和待机功耗控制的应用场景，如智能家电、IoT设备电源模块等。
其次，该MOSFET具备较低的栅极电荷（Qg = 6.5nC）和输入电容，使得驱动电路所需的能量更少，从而支持更高的开关频率运行。高频操作有助于减小磁性元件（如变压器和电感）的体积，进而实现电源系统的小型化和轻量化设计。同时，低电容特性也有助于减少开关过程中的交叠损耗，进一步提升转换效率。
在可靠性方面，RP170N601D-TR-FE经过优化的结构设计增强了其抗雪崩能力和热稳定性。即使在突发过压或负载突变的情况下，器件也能承受一定的能量冲击而不发生永久性损坏，提高了系统的安全裕度。其反向恢复时间较短（trr = 25ns），有效降低了体二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），有利于改善系统的EMI性能，满足严苛的电磁兼容性要求。
此外，SOT-23封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，结合合理的布局设计可实现有效的热管理。该器件支持自动化贴片生产，适合大规模制造，提升了生产效率和良率。综合来看，RP170N601D-TR-FE凭借其高耐压、低损耗、高频响应和高可靠性，成为中低功率开关电源设计中的理想选择。
RP170N601D-TR-FE主要应用于各类中低功率开关模式电源系统中，尤其是在需要高集成度和高效能表现的场合。典型应用包括反激式（Flyback）转换器，广泛用于AC-DC适配器、充电器、智能家居控制模块和小型电源模块中，其600V耐压能力可直接连接整流后的高压直流母线，无需额外的降压预处理电路，简化了前端设计。
该器件也适用于待机电源（Standby Power Supply）设计，为电视、机顶盒、路由器等家电和网络设备提供低功耗、高效率的辅助供电。由于其静态电流低、开关损耗小，即使在待机状态下也能保持较高的能效，符合全球日益严格的能源法规（如Energy Star、EU CoC Tier 2）。
此外，RP170N601D-TR-FE可用于LED照明驱动电源，特别是在非隔离式降压或原边反馈（PSR）架构中，提供稳定的恒流输出。其快速开关特性有助于实现精确的PWM调光控制，提升用户体验。
在工业控制领域，该MOSFET可用于小型电机驱动、继电器驱动或电磁阀控制电路中，作为主开关元件实现负载的通断控制。其高可靠性和宽温度工作范围确保在恶劣工业环境中长期稳定运行。
最后，在便携式设备和电池管理系统中，该器件也可用于同步整流或负载开关应用，提高系统整体效率。总之，RP170N601D-TR-FE凭借其优异的性能和紧凑的封装，适用于多种需要高压、小尺寸、高效率MOSFET的现代电子系统。
AP170N601JF-G1
