HYG080NH03LR1C1是一款由ROHM(罗姆)半导体公司推出的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于沟槽栅结构的功率器件。该器件适用于高效率电源管理应用,如DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备中的功率开关。其主要特点包括低导通电阻(Rds(on))、高电流能力和高可靠性,适用于需要高效能和紧凑设计的电子系统。
类型:功率MOSFET
结构:N沟道
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):8A
导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值)
封装形式:TSMT8(表面贴装)
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
HYG080NH03LR1C1具备出色的导通性能和热稳定性,其沟槽栅结构设计有助于降低导通电阻,从而减少导通损耗并提高系统效率。该器件的低Rds(on)值(1.2mΩ)确保在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗,同时减少发热。
该MOSFET采用TSMT8封装,具有良好的散热性能和较小的PCB占位面积,非常适合空间受限的应用。其封装设计也支持高密度贴装,适用于自动化生产流程。
此外,该器件具备较高的短路耐受能力,增强了在异常工作条件下的可靠性。ROHM的先进制造工艺确保了该器件的高稳定性和长寿命,适合用于工业级和车载级应用环境。
HYG080NH03LR1C1广泛应用于各种功率电子系统,包括但不限于:
1. DC-DC转换器:用于笔记本电脑、服务器、通信设备等高效率电源系统中,实现高效的电压转换。
2. 电机驱动:适用于电动工具、机器人、自动化设备中的电机控制电路。
3. 负载开关:作为电子负载开关用于电池管理系统、电源管理单元等场景,实现快速开关控制。
4. 电池供电设备:如便携式医疗设备、无人机、智能家电等需要高效能、低功耗的系统中。
5. 工业控制系统:包括PLC、工业自动化设备、传感器模块等,提供稳定可靠的功率开关功能。
SiSS18DN、BSC080N03LS、NTMFS4843NT1G、FDMS86180