类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：900V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：11A（在25℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：0.45Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-247

IXTH11N90A MOSFET具备低导通电阻和高电流承载能力，使其在高功率应用中表现出色。其导通电阻仅为0.45Ω，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件的漏源电压额定值为900V，支持在高电压环境中稳定工作。
　　此外，IXTH11N90A采用TO-247封装形式，具有良好的热性能和机械稳定性，便于散热设计和安装。其栅源电压容限为±30V，确保在复杂电路环境中工作的可靠性。该MOSFET的快速开关特性降低了开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
　　在极端工作条件下，如高温或高湿度环境，IXTH11N90A依然能够保持稳定的电气性能和长期可靠性。这使得它成为工业电源、电动车辆充电设备以及太阳能逆变器等领域的理想选择。

IXTH11N90A广泛应用于各类高功率电子设备中，包括开关电源、电机驱动器、电动工具控制器、DC-DC转换器以及太阳能逆变系统。在开关电源中，该MOSFET用于主开关管，实现高效能的电压转换；在电机驱动器中，其高电流承载能力和低导通电阻可提升驱动效率并减少发热；在电动工具控制器中，IXTH11N90A能够承受频繁的开关操作和高电流负载，提高设备使用寿命。
　　此外，该器件还适用于电力电子变换器，例如UPS不间断电源和工业自动化设备中的功率调节模块。由于其优异的开关性能和可靠性，IXTH11N90A也可用于电动汽车充电系统和新能源发电设备中的功率转换电路。

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　　 "IRF840",
　　 "FQA11N90C",
　　 "STP11N90"
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